Electronic 1 Dr. M.H.Moradi

Size: px

Start display at page:

Download "Electronic 1 Dr. M.H.Moradi"

Jasmine Daniel
6 years ago
Views:

1 يا غفار ١ Electronic 1 Dr. M.H.Moradi ٢

2 ٣ ٤

درك و فهم اصول عملكرد عناصر اصلي ومهم الكترونيك نظير ديود ترانزيستور دو قطبي( BJT ) و ترانزيستور اثر ميدان (FET) و كاربردها ي آنها مدلسازي مداري هر يك از اين عناصر اتصال وتغذيه مناسب مداري تجزيه

3 درك و فهم اصول عملكرد عناصر اصلي ومهم الكترونيك نظير ديود ترانزيستور دو قطبي( BJT ) و ترانزيستور اثر ميدان (FET) و كاربردها ي آنها مدلسازي مداري هر يك از اين عناصر اتصال وتغذيه مناسب مداري تجزيه وتحليل وطراحي مدارهاي ساده شیپ یاز: مدار ۱ (تحلیل مدارهای خطی) ٥ ل اول : ای قد طا ت دی ه زیک ٩ سا ت( ل تاب ٣ و ل ع ١ ( ١ هاديها و عايقها نيمه هاديها حفره و الكترون ناخالصي در نيمه هاديها و نيمه هادي نوع N و P اتصال PN جريان انتشاري و رانشي ) DIFFUSION ( DRIFT, مشخصه I,V اتصال PN ديود محدوديتهاي آن تحليل dcمدارهاي ديودي تحليل سيگنال كوچك مدارهاي ديودي مفهوم خط بارو نقطه كار انواع ديود: ديودزينر ديودنوردهنده( (LED ديود نوري اپتو كوپلر ديود شاتكي ديود خازني وديود تونلي ٦

4 ل دوم: کار د ی د ود ٩ سا ت( ل تاب ٣ و ل ع ٢ ( ١ جهش مدارهاي برش مدارهاي كننده يكسو خطي مدلهاي رايپل محاسبه زينري ولتاژ كننده تنظيم خازني فيلتر ولتاژ كننده برابر چند دقيق كننده يكسو كننده محدود مدار هاي نيم موج تمام موج ٧ ا ور دو ی ٩ سا ت( ل ۵ تاب و ل ع ٣ ( ١ ل وم : وعملكرد فيزيكي ساختار در ترانزيستور جريان ترانزيستور PNP و NPN خط بار و نقطه كار مشخصه اميتر مشترك حالت باياسينگ آنها مقايسه و مدارهاي باياسينگ انواع و ضرايب ترانزيستور پايداري حرارتي باياسينگ بررسي S پايداري ٨

5 ل ھارم : س پا کا وری ا ی نده و ٩ سا ت( ل ۵ تاب و ل ع ۴ ( ١ مدل هايبريد. تقويت كننده بيس مشترك تقويت كننده كلكتور مشترك تقويت كننده اميتر مشترك اثر مقاومت منبع ومقاومت بار بر يك تقويت كننده اساس طراحي تقويت كننده هاي ترانزيستوري مدار دارلينكتون تقويت كننده چند طبقه Cascade ٩ ل پ م : FET MOSFET, و ز ع م ل آ ھا ساختار وعملكرد فيزيكي JFET مشخصه انتقالي و هدايت انتقالي ١٢ سا ت( ل ۴ تاب و ل ۵ و ۶ ع ( ١ ساختار ترانزيستور MOSFETافزايشي ترانزيستور CMOS وتخليه اي باياسينگ وپايداري نقطه كار مدل سيگنال كوچك وتحليل عملكرد تقويت كننده تقويت كننده منبع مشترك وانواع ديگرتقويت كننده مدار آينه جريان FET بعنوان مقاومت قابل كنترل با ولتاژ ١٠

6 اصلي(ضروري): نا ع و ا ع Sedra/Smith Microelectronic Circuits 5/e Oxford University Press Oxford New York Auckland Bangkok Buenos Aires Cape Town Chennai Dar es Salaam Delhi Hong Kong Istanbul Karachi Kolkata Kuala Lumpur Madrid Melbourne Mexico City Mumbai Nairobi São Paulo Shanghai Taipei Tokyo Toronto Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc. Published by Oxford University Press, Inc. 198 Madison Avenue, New York, New York Oxford is a registered trademark of Oxford University Press All rights reserved. No part of this publication may be reproduced, stored in a retrieval system, or transmitted, in any form or by any means, electronic, mechanical, photocopying, recording, or otherwise, without the prior permission of Oxford University Press. ISBN دوترجمه ازاين کتاب دربازار موجود می باشد. Printing number: Printed in the United States of America نا ع دی (ا یاری ): 1. Donald A. Neaman, Electronics Circuits Analysis and Design 2nd Edition, ISBN , McGraw Hill, Robert Boylestad, Electronic Devices and Circuit Theory, 9 th Edition, ISBN , Prentice Hall, Thomas L. Floyd, Electronic Devices, ISBN X, Prentice Hall, Theodore F. Bogart Jr., Electronic Devices and Circuits, 6th Edition, ISBN , Prentice Hall,

7 امتحان نيم ترم( ٣٠ %) 1 و 2 و 3 فصول 2 -امتحان پايان ترم (%۵٠) 4 و 5 فصول Assignments 20% تمرين (%٢٠) Final Examination 50% Mid-term Examination 30% اسپايس وطراحي( ١۵ %) مباحث امتحان گرفته شده حذف شده وتكرار نمي شود ١٣ تعداد واحد : سرفصل مصوب: الكترونيك 1 نوع واحد : نظري پيشنياز : مدارھاي الكتريكي ١ 3 P و N ١ -فيزيك الكترونيك ھاديھا و عايقھا نيمه ھاديھا حفره و الكترون ناخالصي در نيمه ھاديھا و نيمه ھادي نوع اتصال PN جريان DRIFT, DIFFUSION مشخصه I,V اتصال PN ديود محدوديتھاي آن ديودزنر فتوديود LED ديود تونل فتو ديود ٢ -مدارھاي ديود مفھوم خط باز نقطه كازر مدلھاي خطي يكسو كننده ھاي نيم موج تمام موج محاسبه ريپل طرح منابع تغذيه مدارھاي برش مدارھاي CLAMPING دو برابر كننده ولتاژ فيلترھاي RC و LC تغذيه ٣ -ترانزيستور جريان در ترانزيستور ترانزيستور PNP و NPN حالت اميتر مشترك مشخصه خط بار و نقطه كار باياسينك انواع و مقايسه مدارھاي باياسينك بررسي پايداري حرارتي باياسينك ترانزيستور و ضرايب پايداري S Cascade ۴ -تقويت كننده ھاي ترانزيستوري در فركانس پايين مدل ھايبرد. تقويت كننده بيس مشترك تقويت كننده كلكتور مشترك تقويت كننده اميتر مشترك مدار دارلينكتون تقويت كننده چند طبقه -۵ FET MOSFETوطرز, عمل آنھا. مشخصه انتقالي ھدايت انتقالي باياسينگ مدل سيگنال كوچك تقويت كننده منبع مشترك ) (Common Source FET بعنوان مقاومت قابل كنترل با ولتاژ. د/

8 Any Questions? ١٥

ب ي بب ح ل ا ى ل إا ي ل ص و ل ا ب ا صي ك ب ي ط ل او ي ا ب صي ل ا ب صص و يى بل

ب ي بب ح ل ا ى ل إا ي ل ص و ل ا ب ا صي ك ب ي ط ل او ي ا ب صي ل ا ب صص و يى بل ك ت ا ا ص ول ل ة إ ا ل ى ا ل ح ط ل ا صو ى ل ط ل ا ت ا و صح ت ت ش ا ر ل ز ص ر ى ش ا ر ء ل ل ة ل ا ل ك ة ا خ س ل ا ل ط ت ل ة ا و ل ا ص د ة و ك ل ة ة ل ز ا إ ل ا ل ص ا ل ك ت ا ا ل ح ص ال ا ت س ل ة ا و حل